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有機(jī)溶劑、弱腐蝕清洗試劑:EP316L 不銹鋼系統(tǒng);

更新時(shí)間:2026-06-24      點(diǎn)擊次數(shù):180

一、系統(tǒng)定義

半導(dǎo)體精餾系統(tǒng)是面向晶圓制造、先進(jìn)制程濕電子化學(xué)品量產(chǎn)的成套超純精餾一體化裝置,整合脫輕、精密精餾、脫重、亞沸精制、超凈輸送、全自動(dòng) DCS 管控整套單元,嚴(yán)格遵循 SEMI G1/G2/G4 高純?cè)噭?biāo)準(zhǔn),用于制備電子級(jí)高純硝酸、鹽酸、高純有機(jī)溶劑、光刻配套試劑、顯影液、剝離液、硅源原料等,實(shí)現(xiàn)金屬雜質(zhì)、顆粒、TOC、陰陽(yáng)離子控制至 ppt 級(jí),適配 28nm/14nm/7nm 及以下先進(jìn)芯片制程。
不含 HF 工況,無(wú)需全氟內(nèi)襯特化設(shè)計(jì),EP 不銹鋼為主流用材,可獨(dú)立運(yùn)行或多套并聯(lián)規(guī)模化生產(chǎn)。

二、整套系統(tǒng)核心組成單元

1. 原料預(yù)處理單元

  • 原料緩沖儲(chǔ)罐:EP316L/904L 不銹鋼,氮?dú)饷荛]保護(hù);

  • 預(yù)過(guò)濾機(jī)組:多級(jí) PTFE 精密濾芯,攔截固體顆粒、膠質(zhì)雜質(zhì);

  • 預(yù)熱減壓模塊:低溫預(yù)熱,負(fù)壓降低沸點(diǎn),避免熱敏物料高溫降解;

  • 進(jìn)料計(jì)量輸送:隔膜計(jì)量泵,無(wú)金屬溶出,流量精準(zhǔn)閉環(huán)調(diào)節(jié)。

2. 多級(jí)精餾主塔組(核心分離段)

工藝組合:脫輕塔→主精餾塔→脫重塔
  1. 塔體主流材質(zhì)(無(wú) HF,無(wú)需 PFA 內(nèi)襯)

    • EP 電解拋光 316L/904L / 哈氏合金 C276:醇類(lèi)、酮類(lèi)、酯類(lèi)、硝酸、鹽酸、各類(lèi)有機(jī)清洗溶劑;內(nèi)壁 Ra≤0.2μm,全自動(dòng)軌道氬弧焊,氦質(zhì)譜檢漏;

    • 高純石英精餾柱:實(shí)驗(yàn)室小批量超高純?cè)噭┚疲涮讈喎泄r。

  2. 塔內(nèi)潔凈傳質(zhì)構(gòu)件

    低持液 EP 金屬波紋填料、多級(jí)液體分布再分布器、三級(jí)復(fù)合除沫捕集裝置,抑制霧沫夾帶,阻斷重金屬氣溶膠上行污染成品。

  3. 塔釜換熱系統(tǒng)

    夾套負(fù)壓換熱、EP 管殼式再沸器,低溫減壓操作,適配易氧化、易分解熱敏濕化學(xué)品。

3. 塔頂回流精密控制單元

配套數(shù)顯電磁回流比控制器,回流比 0.1~100 無(wú)級(jí)可調(diào),DCS 遠(yuǎn)程聯(lián)動(dòng);不銹鋼 EP 水冷冷凝器,冷凝管路無(wú)二次污染;自動(dòng)切頭、切尾,分離輕組分雜質(zhì)與重組分重金屬鹽。

4. 亞沸深度精制單元(先進(jìn)制程標(biāo)配)

主精餾塔粗分后,料液送入亞沸精餾設(shè)備做末端提純:無(wú)沸騰表層汽化,消除霧滴夾帶,將微量金屬離子降至 ppt 級(jí)別,滿(mǎn)足 7nm 及以下芯片超高純需求。

5. 超凈成品收集與儲(chǔ)存單元

  • EP 不銹鋼高純采出管路、無(wú)金屬隔膜閥、FFKM 全氟密封墊片;

  • 終端 0.05μm 超純過(guò)濾器,攔截微量顆粒;

  • 潔凈成品儲(chǔ)罐,氮?dú)馕⒄龎焊艚^空氣粉塵、水汽;殘液密閉回收系統(tǒng),無(wú)揮發(fā)外泄。

6. 真空惰性保護(hù)系統(tǒng)

干式無(wú)油真空泵,杜絕油污染;全系統(tǒng)氮?dú)饷芊猓S持微正壓負(fù)壓閉環(huán);全管路氦檢,漏率≤1×10?? Pa?m3/s,防止外界雜質(zhì)倒吸。

7. DCS 全自動(dòng)智能控制系統(tǒng)(半導(dǎo)體專(zhuān)用)

  • 溫度精度 ±0.1℃、壓力 ±0.01kPa、流量閉環(huán)控制;

  • 在線(xiàn)監(jiān)測(cè)模塊:TOC、水分、微量金屬取樣口、顆粒在線(xiàn)檢測(cè);

  • 聯(lián)鎖保護(hù):超溫、超壓、真空泄漏、低液位自動(dòng)停機(jī)報(bào)警;

  • 全自動(dòng)連續(xù)進(jìn)料、自動(dòng)回流調(diào)節(jié)、自動(dòng)分餾采出、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)溯源,滿(mǎn)足半導(dǎo)體工廠(chǎng) GMP 潔凈管控要求。

三、核心潔凈性能標(biāo)準(zhǔn)(SEMI)

  1. 單種金屬雜質(zhì)(Na、K、Fe、Cu、Al、Zn 等)≤0.1ppb,制程≤1ppt;

  2. ≥0.5μm 液體顆粒<2 個(gè) /mL;

  3. TOC、陰陽(yáng)離子、非金屬雜質(zhì)嚴(yán)格管控;

  4. 設(shè)備出廠(chǎng) Class1000 潔凈車(chē)間裝配,出廠(chǎng)前超純水、高純異丙醇循環(huán)鈍化清洗;

  5. 接觸介質(zhì)部件統(tǒng)一采用 EP 不銹鋼、PTFE、FFKM 全氟密封件,無(wú)普通碳鋼、黃銅。


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